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PTR200N萊寶真空計(jì)說(shuō)明

PTR 200 N PENNINGVAC 系列真空變送器可提供從 1×10-8 毫巴至 1500 毫巴的較大測(cè)量范圍，基于對(duì) MEMS Pirani 硅芯片傳感器上小空腔中的熱傳導(dǎo)性、壓電傳感器中硅膜的機(jī)械偏轉(zhuǎn)和冷陰極 (CC) 電離電流的測(cè)量結(jié)果。
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器配備 RS232 數(shù)字通信接口，可設(shè)定變送器參數(shù)并提供實(shí)時(shí)壓力測(cè)量。更多詳情，請(qǐng)參閱通信協(xié)議 300544663 (RS232)。
每臺(tái)變送器在出廠前已逐臺(tái)進(jìn)行全量程測(cè)試。測(cè)試報(bào)告隨附在包裝中。此外，每個(gè)變送器壓力讀數(shù)均在操作溫度范圍內(nèi)逐一得到溫度補(bǔ)償。
變送器擁有三個(gè)機(jī)械繼電器，這些繼電器可用于過(guò)程控制，例如閥或泵的聯(lián)鎖。模擬電壓輸出可連接至外部模擬設(shè)備，獲取壓力讀數(shù)，或進(jìn)行壓力控制。
傳感器技術(shù)
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器含有兩個(gè)獨(dú)立的傳感器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微電子機(jī)械系統(tǒng))) 傳感器元件基于熱傳導(dǎo)性的測(cè)量結(jié)果。MEMS Pirani 傳感器包含一個(gè)帶有熱電阻元件的硅芯片，其構(gòu)成空腔的一個(gè)表面。芯片頂部的封蓋形成空腔的另一表面。由于傳感器的幾何形狀，空腔內(nèi)無(wú)法進(jìn)行對(duì)流，因此，傳感器對(duì)安裝位置并不敏感。通過(guò)擴(kuò)散，氣體分子只到達(dá)熱元件，在此處可測(cè)量氣體的熱損耗。
冷陰極反磁控管采用高電壓陽(yáng)極、陰極和永磁體。電子向陽(yáng)極加速，并將通過(guò)碰撞而使分子離子化。磁場(chǎng)使電子偏轉(zhuǎn)，從而使電子在穿過(guò)磁場(chǎng)前往陽(yáng)極時(shí)做螺旋形移動(dòng)。這種螺旋運(yùn)動(dòng)增大了電子遇到分子并使分子離子化的機(jī)會(huì)。
分子離子化產(chǎn)生電流，該電流是壓力的函數(shù)。這兩個(gè)傳感器元件均極為堅(jiān)固耐用，可承受較高重力和瞬間空氣涌入。
PTR200N萊寶真空計(jì)說(shuō)明應(yīng)用
變送器可用于眾多不同領(lǐng)域的真空應(yīng)用中，如：工業(yè)應(yīng)用、研發(fā)、半導(dǎo)體、分析和涂料工業(yè)中:
? 一般真空壓力測(cè)量
? 氣體回填測(cè)量和控制
? 涂料
? 質(zhì)譜儀控制
? 系統(tǒng)過(guò)程控制
? 檢測(cè)異常壓力，利用設(shè)定點(diǎn)繼電器采取妥當(dāng)?shù)陌踩胧?br />? 控制系統(tǒng)壓力